| 型号： | BSO215C | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| BSO215C PDF |  |
| 产品变化通告 | BSO215C Discontinuation 16/Mar/2004 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 10µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 246pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSO215CINTR |